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晶体硅太阳电池二氧化硅钝化膜的制备方法

基本信息

申请号 CN201510923285.0 申请日 -
公开（公告）号 CN105355723B 公开（公告）日 2019-12-27
申请公布号 CN105355723B 申请公布日 2019-12-27
分类号 H01L31/18 分类 基本电气元件;
发明人 邹凯;和江变;郭凯华;郭永强;李健 申请（专利权）人 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司
代理机构 北京律智知识产权代理有限公司 代理人 董天宝;于宝庆
地址 010111 内蒙古自治区呼和浩特市如意开发工业新区
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种晶体硅太阳电池二氧化硅钝化膜的制备方法，包括：(1)对硅片表面进行清洗制绒和扩散制PN结处理，并去除边结和表层磷硅玻璃；(2)对经过步骤(1)处理的硅片进行第一氧化处理；(3)对经过步骤(2)处理的硅片进行第二氧化处理；(4)在经过步骤(3)处理的硅片的表面沉积至少两层折射率与厚度均不相同的氮化硅膜。本发明的制备方法应用于多晶硅电池中，既能对电池表面起到良好的钝化作，降低电池因复合造成的效率损失；又能从电池工艺端有效降低电池漏电流，提高电池抗PID能力，同时还能增强电池抗腐蚀、防潮性能，延长电池的使用寿命。