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一种N型单晶硅双面电池的制作方法

基本信息

申请号 CN201611064978.X 申请日 -
公开（公告）号 CN106653942A 公开（公告）日 2017-05-10
申请公布号 CN106653942A 申请公布日 2017-05-10
分类号 H01L31/18(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 和江变;邹凯;郭永强;郭凯华;马承鸿;李健;段敏 申请（专利权）人 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司
代理机构 北京律智知识产权代理有限公司 代理人 吴娅妮;于宝庆
地址 010111 内蒙古自治区呼和浩特市如意开发工业新区
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种N型单晶硅双面电池的制作方法，所采用的N型硅片衬底包括第一表面和与所述第一表面相对设置的第二表面，所述方法包括：对所述硅片衬底进行表面制绒处理；对所述硅片衬底的第一表面进行硼扩散处理，制得硼掺杂层；在所述硼掺杂层形成至少一层掩膜；对所述硅片衬底的第二表面进行磷扩散处理，制得磷掺杂层；去除所述至少一层掩膜；以及分别在通过硼扩散处理的第一表面以及通过磷扩散处理的第二表面制作电极，制得所述N型单晶硅双面电池。本发明一实施方式的N型单晶硅双面电池的制作方法，工艺简单，有效地提高了电池的效率。