一种IGBT的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201810959024.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109087945B | 公开（公告）日 | 2021-11-26 |
| 申请公布号 | CN109087945B | 申请公布日 | 2021-11-26 |
| 分类号 | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 廖兵;沈礼福 | 申请（专利权）人 | 苏州达晶微电子有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市高新区科技城培源路2号微系统园M1-204 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种IGBT的制造方法，首先在N‑衬底上形成N+少子存储区域，再通过比N+少子存储区域更大的光刻视场形成窗口，以保证P+区域可以在横向上完全覆盖N+少子存储区域，形成被N+少子存储层半包围的P+区域，通过这种方式既引入了CS区域，又最大程度的降低了CS层对器件击穿电压的影响，最终得到了平面局域少子存储IGBT，既有效提升导通压降与关断损耗间的折衷关系又最大程度的减少了少子存储区域对器件的击穿电压的影响，本发明实用性强、易于使用和推广。 |
