一种浅沟槽结构器件沟槽
基本信息
| 申请号 | CN202021325475.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212485333U | 公开（公告）日 | 2021-02-05 |
| 申请公布号 | CN212485333U | 申请公布日 | 2021-02-05 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李昊 | 申请（专利权）人 | 朝阳微电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京鼎佳达知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 侯蔚寰 |
| 地址 | 122000辽宁省朝阳市龙城区文化路五段105 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种浅沟槽结构器件沟槽，包括表面氧化剂隔离层和器件基底，所述表面氧化剂隔离层的下方设有原始氧化层，所述原始氧化层的一侧设有沟槽氧化制作氧化层，所述器件基底设置于沟槽氧化制作氧化层的下方。该浅沟槽结构器件沟槽，使器件损伤降低到最小，可明显减少由损伤引起的器件特性变差，提高产品的可靠性和成品率。 |
