一种发光二极管器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201911015863.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110718622A | 公开（公告）日 | 2020-01-21 |
| 申请公布号 | CN110718622A | 申请公布日 | 2020-01-21 |
| 分类号 | H01L33/62;H01L33/64;H01L33/48;H01L25/075 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙德瑞 | 申请（专利权）人 | 朝阳微电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京中索知识产权代理有限公司 | 代理人 | 山东傲天环保科技有限公司;朝阳微电子科技股份有限公司 |
| 地址 | 250000 山东省济南市历下区华能路38号汇源大厦1506 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种发光二极管器件及其制造方法本发明的发光二极管器件在镍镀层上形成镍硅镀层，该镍硅镀层的润湿性较差，可以阻止间隔材料的爬升，保证电连接的可靠性。另外，布线金属层具有内嵌的阶梯形状的侧面，使得所述间隔材料内嵌到所述镍镀层与散热基板之间，保证间隔材料填充间隔槽的体积的基础上，可以实现防止剥离和进一步防止爬升的目的。 |
