一种GaNHEMT器件多物理场耦合大信号模型建立方法
基本信息
| 申请号 | CN201810260358.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108416167B | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN108416167B | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | G06F30/3308（2020.01）I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 陈勇波 | 申请（专利权）人 | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都华风专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 徐丰;张巨箭 |
| 地址 | 610029四川省成都市双流区中国（四川）自由贸易试验区成都市双流区西南航空港经济开发区物联大道88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种GaN HEMT器件多物理场耦合大信号模型建立方法，包括以下步骤：S1：分别建立器件热参数、电参数和应力参数与器件物理参数的映射关系；S2：基于物理基大信号模型建模理论，推导大信号模型内核的解析表达式；S3：分别将热‑电耦合、热‑力耦合和力‑电耦合量化嵌入大信号模型内核中，得到修正后的大信号模型内核；S4：将修正后的大信号模型内核带入模型等效电路拓扑中，构成完整的电‑热‑力多物理场耦合大信号模型。本发明引入了GaN外延层中应力的影响，从而完整描述器件的电‑热‑力多物理场耦合效应，提升GaN HEMT器件模型精度，并且模型可用于指导新型器件设计和工艺改进。 |
