一种MEMS滤波器制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110603324.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113321180A | 公开（公告）日 | 2021-08-31 |
| 申请公布号 | CN113321180A | 申请公布日 | 2021-08-31 |
| 分类号 | B81C1/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 周华芳 | 申请（专利权）人 | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都华风专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 张巨箭 |
| 地址 | 610029四川省成都市双流区中国（四川）自由贸易试验区成都市双流区西南航空港经济开发区物联大道88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种MEMS滤波器制作方法，属于MEMS滤波器制作技术领域，方法包括：在衬底正背面依次生长隔离层、第一DBR介质膜、牺牲层和第二DBR介质膜；制作衬底正面上电极、下电极，上电极底部与衬底正面的第二DBR介质膜的底层膜接触，下电极底部与衬底正面的第一DBR介质膜的顶层膜接触；释放衬底正面的中间牺牲层得到具有空腔的牺牲层，空腔位置对应的第二DBR介质膜为浮桥区域。本发明采用双面结构工艺能够保证器件的平整度，解决现有技术单面长膜引起的器件翘曲，同时，本申请浮桥区域为密封闭环浮桥，相较于现有镂空浮桥，提升了结构强度，降低了衬底正面的第二DBR介质膜的破裂风险。 |
