一种AlGaN/GaNHEMT微波功率器件小信号本征参数提取方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种AlGaN/GaNHEMT微波功率器件小信号本征参数提取方法

基本信息

申请号	CN201711321484.X	申请日	-
公开（公告）号	CN108062442B	公开（公告）日	2021-04-06
申请公布号	CN108062442B	申请公布日	2021-04-06
分类号	G06F30/23(2020.01)I	分类	计算；推算；计数;
发明人	陈勇波	申请（专利权）人	成都海威华芯科技有限公司
代理机构	成都华风专利事务所（普通合伙）	代理人	徐丰;张巨箭
地址	610029四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT微波功率器件小信号本征参数提取方法，包括：S1：采用有限元热仿真方法，提取GaN HEMT器件非线性热阻随器件功耗和尺寸的变化关系式；S2：利用冷态夹断偏置条件下的S参数测试数据，提取GaN HEMT器件常温下的寄生参数值；S3：利用不同的环境温度下器件脉冲I‑V的测试数据，提取寄生电阻Rs和Rd随温度的变化关系式，得到不同偏置条件下的Rs和Rd的值；S4：采用各个偏置条件下S参数的测试数据，寄生参数剥离，得到本征网络Y参数，计算器件小信号等效电路本征参数值。本方法引入寄生电阻Rs和Rd随温度的变化关系式，使得提取的本征参数值更可信、更具有物理意义。