一种划片道制作工艺
基本信息
| 申请号 | CN201711319902.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108010837B | 公开（公告）日 | 2021-05-04 |
| 申请公布号 | CN108010837B | 申请公布日 | 2021-05-04 |
| 分类号 | H01L21/306;H01L21/78 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈一峰 | 申请（专利权）人 | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都华风专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 徐丰;张巨箭 |
| 地址 | 610029 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种划片道制作工艺，在芯片前端工艺完成之后进行，所述的芯片前端工艺包括芯片正面工艺和接地通孔工艺；所述的划片道制作工艺包括以下步骤：S1：在具有接地通孔和电镀金属层的晶圆的衬底背面涂覆保留出划片道部分的PBO，并完成曝光、显影与烘烤固化；S2：采用湿法腐蚀对电镀金属层完成划片道刻蚀；S3：采用反应离子束刻蚀去除表面PBO。本发明利用PBO高黏稠度，具备光敏特性，保护MMIC芯片底部金层，尤其是保护背面接地通孔（backsidevia）侧壁和底部金属层，保证MMIC良好的接地能力。 |
