一种0.15微米T形栅的工艺制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201910304548.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110010454B | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN110010454B | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | H01L21/28（2006.01）I;H01L21/027（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 毛江敏;彭挺;陈俊奇;郭盼盼 | 申请（专利权）人 | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都华风专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 张巨箭;徐丰 |
| 地址 | 610029四川省成都市双流区中国（四川）自由贸易试验区成都市双流区西南航空港经济开发区物联大道88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种0.15微米T形栅的工艺制作方法，属于半导体制作工艺技术领域，方法包括以下步骤：在半导体基板上形成具有圆弧边角的T形栅下层根部腔体，使用等离子体清除T形栅下层根部腔体底部的残渣；在T形栅下层根部腔体表面涂布隔离试剂，对隔离试剂进行烘烤、水洗，形成水性扩散微缩隔离层；制备T形栅上层头部腔体，使用等离子体清除T形栅下层根部腔体底部的第二光刻胶残渣和第一微缩隔离层；用酸刻蚀掉T形栅下层根部腔体表面的阻挡层；沉积栅极金属层，去除半导体基板表面所有光刻胶得到T形栅。本发明需进行两次光刻工艺即可完成0.15微米T形栅的制作，大大节省了时间，提高了工作效率，利于大量生产。 |
