一种MEMS滤波器器件背孔的制作工艺和MEMS滤波器
基本信息
| 申请号 | CN202110600934.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113314822A | 公开（公告）日 | 2021-08-27 |
| 申请公布号 | CN113314822A | 申请公布日 | 2021-08-27 |
| 分类号 | H01P11/00（2006.01）I;H01P1/20（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周华芳 | 申请（专利权）人 | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都华风专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 张巨箭 |
| 地址 | 610029四川省成都市双流区中国（四川）自由贸易试验区成都市双流区西南航空港经济开发区物联大道88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种MEMS滤波器器件背孔的制作工艺和MEMS滤波器，所述MEMS滤波器器件的衬底背面依次生长有隔离层、第一DBR介质膜、牺牲层和第二DBR介质膜；所述制作工艺包括：在第二DBR介质膜上制作背孔区域的光刻胶层；第一次干法蚀刻，刻蚀至牺牲层；去除剩余牺牲层；第二次干法蚀刻，刻蚀停留在与隔离层接触的第一DBR介质膜的接触层；蚀刻剩余接触层；去掉光刻胶层。本发明可消除由于不同介质膜刻蚀造成的尖角影响，精确蚀刻到衬底上部的隔离层，且保持隔离层的表面平滑，背孔制作工艺方法，可行度高、精确度好，且能与半导体制作工艺兼容，提高了产品研发的成功率。 |
