一种半导体器件介质膜低角度蚀刻方法
基本信息
| 申请号 | CN201811043936.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109243971B | 公开（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申请公布号 | CN109243971B | 申请公布日 | 2021-04-20 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周华芳 | 申请（专利权）人 | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都华风专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 徐丰;张巨箭 |
| 地址 | 610029四川省成都市双流区中国（四川）自由贸易试验区成都市双流区西南航空港经济开发区物联大道88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件介质膜低角度蚀刻方法，依次对器件介质膜进行光刻、湿法蚀刻、干法蚀刻、去胶、去残胶及水洗工艺。通过光刻、湿法蚀刻、干法蚀刻、去胶、去残胶及水洗工艺，降低了二氧化硅或氮化硅的蚀刻角度，即使在薄金属层沉积情况下也实现了良好的金属连接，避免金属断层及空洞的出现，不仅大大提高器件的可靠性，也节约了金属的用量和成本。 |
