一种大直径硅晶体生长装置
基本信息
| 申请号 | CN200910033726.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101906660A | 公开（公告）日 | 2010-12-08 |
| 申请公布号 | CN101906660A | 申请公布日 | 2010-12-08 |
| 分类号 | C30B15/14(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 马四海;张笑天 | 申请（专利权）人 | 芜湖升阳光电科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 241100 安徽省芜湖县芜湖机械工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种大直径硅晶体生长装置，包括保温系统、加热系统、导流系统及支撑装置，所述的保温系统上部设有保温盖板及炉底保温结构，所述的保温盖板采用双层结构，即互相叠合的上保温盖板(1)和下保温盖(2)，在所述的上保温盖板(1)和下保温盖(2)之间的空隙部分，填充石墨碳毡。采用上述技术方案，可用来拉制8寸及8寸以上硅单晶，相对于现有技术，在节能降耗及惰性气体的导向上更具优势，增加了保温系统的保温效果，降低热辐射散热，改变熔体内温度梯度，降低横向温度梯度变化，使得熔体液面温度相对稳定，有利于硅单晶的生长；改善气流导向装置，避免出现气体紊流。 |
