一种单晶硅结晶生长装置
基本信息
| 申请号 | CN200910184959.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102041549A | 公开（公告）日 | 2011-05-04 |
| 申请公布号 | CN102041549A | 申请公布日 | 2011-05-04 |
| 分类号 | C30B15/00(2006.01)I;C30B15/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 马四海;张笑天 | 申请（专利权）人 | 芜湖升阳光电科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 241100 安徽省芜湖县芜湖机械工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种单晶硅结晶生长装置，包括保温系统、加热系统、导流系统及支撑装置，所述的导流系统采用双向气流结构，所述的双向气流结构包括热屏(3)、上部排气套筒(1)和下部氩气出口(2)。采用上述技术方案，迅速带走硅液表面的有害气体，加速SiO及氧碳化合物的蒸发，使得进入固液界面的氧的含量大大降低；双向气流的采用，改变了普通热场的气体流向，可以降低热场内部有害气体对石墨件的腐蚀，减少了氧与石墨的接触面积及时间，使得硅液表面的氧碳化合物及有害气体在下部气体的流向带动下迅速带离热系统，有效控制了晶体中的碳含量；降低了杂质粒子进入固液界面的几率，从而大大提升了晶体的成晶率。 |
