一种基于拼接原子光刻技术的大面积自溯源光栅制备方法

基本信息

申请号 CN202210284007.5 申请日 -
公开(公告)号 CN114690298A 公开(公告)日 2022-07-01
申请公布号 CN114690298A 申请公布日 2022-07-01
分类号 G02B5/18(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I 分类 光学;
发明人 程鑫彬;邓晓;谭文;肖光旭;唐朝辉;林子超;李同保 申请(专利权)人 同济大学
代理机构 上海科盛知识产权代理有限公司 代理人 -
地址 200092上海市杨浦区四平路1239号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种基于拼接原子光刻技术的大面积自溯源光栅制备方法,包括以下步骤:基于原子光刻技术在基板上进行一次原子光刻,获得原子光刻光栅样板;至少循环执行一次以下操作:利用光阑的限位作用,保持会聚光指向不变,将主透镜及当前的原子光刻光栅样板作为整体沿激光驻波场方向平移一段距离并固定,调整主透镜使返回的会聚光形成驻波场并与金属原子束待沉积区域存在重叠部分,在当前的原子光刻光栅样板上进行一次原子光刻;通过相邻次原子光刻光栅的无缝拼接,获得大面积自溯源光栅。与现有技术相比,本发明有效地解决了自溯源光栅驻波场方向扩展的技术问题,并具备光栅无缝衔接,扩展空间大的优点。