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一种大尺寸溅射硅靶材

基本信息

申请号	CN201510193687.X	申请日	-
公开（公告）号	CN104862655A	公开（公告）日	2015-08-26
申请公布号	CN104862655A	申请公布日	2015-08-26
分类号	C23C14/34(2006.01)I	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	周斌	申请（专利权）人	江苏瑞雪电子材料有限公司
代理机构	南京正联知识产权代理有限公司	代理人	南京帝优新材料科技有限公司;江苏瑞雪电子材料有限公司
地址	江苏省南京市经济技术开发区兴科路12号305室
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种大尺寸溅射硅靶材，所述的硅靶材为圆形靶材，直径为300—500毫米，所述的硅靶材由三层结构组成：硅靶层、钼背靶层及位于硅靶层和钼背靶层中间的焊接层，所述的硅靶层的成分为高纯多晶硅或单晶硅，所述的钼背靶层的成分为高纯钼，所述的焊接层的成分为金属铟。本发明具有如下技术效果：1）表面粗糙度低，不超过当前通用产品Ra值的1/2；2）焊接结合率高，大于96.5%，超过95%工业水平；3）采用新型背靶材料，使靶材与背靶的导热系数接近，避免因受热不均导致的靶材变形等问题；4）背靶使用寿命高，比现通用产品使用寿命提高一倍以上；5）靶材的晶粒度控制佳，平均晶粒度可控制在100μm以下，远低于当前200μm的产品标准。