SiCMOSFET的辅助关断电路及方法、驱动电路
基本信息
| 申请号 | CN202210499635.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114710011A | 公开（公告）日 | 2022-07-05 |
| 申请公布号 | CN114710011A | 申请公布日 | 2022-07-05 |
| 分类号 | H02M1/08（2006.01）I;H02H7/12（2006.01）I;H02H3/20（2006.01）I;H03K17/082（2006.01）I;H03K17/687（2006.01）I | 分类 | 发电、变电或配电; |
| 发明人 | 赵凤俭 | 申请（专利权）人 | 飞锃半导体（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 北京市一法律师事务所 | 代理人 | - |
| 地址 | 201306上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请技术方案提供一种SiC MOSFET的辅助关断电路及方法、驱动电路，其中所述辅助关断电路包括：输出侧逻辑控制模块，用于接收所述SiC MOSFET的驱动脉冲信号并输出；输出级功率放大电路，与所述输出侧逻辑控制模块电连接，并被配置为对所述驱动脉冲信号进行放大，并输出至所述SiC MOSFET；分段关断模块，与所述输出级功率放大电路、所述输出侧逻辑控制模块以及所述SiC MOSFET管的栅极电连接，且所述分段关断模块被配置为在所述SiC MOSFET关断的过程中等效电阻值呈增大的趋势。本申请技术方案的辅助关断电路可以解决驱动关断电阻无法平衡关断过电压和关断损耗问题。 |
