半导体结构
基本信息
| 申请号 | CN202122051938.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216054719U | 公开（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申请公布号 | CN216054719U | 申请公布日 | 2022-03-15 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李浩南;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 | 申请（专利权）人 | 飞锃半导体（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 北京市一法律师事务所 | 代理人 | 樊文娜;刘荣娟 |
| 地址 | 201306上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请技术方案提供一种半导体结构，所述半导体结构位于器件区外侧的边缘区，包括：半导体衬底及位于所述半导体衬底上的外延层；绝缘层，自所述外延层的部分表面延伸至所述外延层中；保护层，位于所述绝缘层与所述外延层之间，且与所述外延层的掺杂类型不同；过渡层，自所述绝缘层一侧的外延层表面延伸至所述外延层中，且所述过渡层与所述保护层的掺杂类型相同；场氧化层，位于所述绝缘层以及所述绝缘层另一侧的保护层和外延层的表面；金属场板，位于所述过渡层和部分所述场氧化层上，且所述金属场板连接所述器件区的器件结构。本申请技术方案的半导体结构能够大幅度提高边缘区终端结构的击穿电压。 |
