半导体结构

基本信息

申请号 CN202122747597.4 申请日 -
公开(公告)号 CN216450645U 公开(公告)日 2022-05-06
申请公布号 CN216450645U 申请公布日 2022-05-06
分类号 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 张永杰;李浩南;周永昌;黄晓辉;董琪琪 申请(专利权)人 飞锃半导体(上海)有限公司
代理机构 北京市一法律师事务所 代理人 樊文娜;刘荣娟
地址 201306上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
法律状态 -

摘要

摘要 本申请技术方案提供一种半导体结构,其中所述半导体结构包括:衬底,所述衬底包括第一外延层;掺杂柱,分立的位于所述第一外延层中;第一JFET区,位于部分所述掺杂柱上;第二JFET区,位于相邻所述掺杂柱之间的部分所述第一外延层上;阱区,位于所述第一JFET区和所述第二JFET区上;源区,自所述阱区表面延伸至所述阱区中;掺杂区,位于相邻所述源区之间且延伸至所述掺杂柱的表面;栅极结构,位于所述源区和所述阱区中并延伸至所述第一JFET区和所述第二JFET区之间,且所述栅极结构的整个或部分底部与所述掺杂柱邻接。本申请技术方案可以降低栅极结构底部的电场,减少栅漏电荷以及降低衬底电阻。