一种光栅结构的硅基全硅表面吸收探测器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010997856.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112201707A | 公开（公告）日 | 2021-01-08 |
| 申请公布号 | CN112201707A | 申请公布日 | 2021-01-08 |
| 分类号 | H01L31/0232(2014.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 崔积适;王娟;崔文静;陈洪敏 | 申请（专利权）人 | 三明学院 |
| 代理机构 | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 三明学院 |
| 地址 | 365000福建省三明市三元区荆东路25号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种光栅结构的硅基全硅表面吸收探测器，包括：衬底层，所述衬底层是SOI；硅光波导层，形成于所述衬底层上；光栅层，形成与所述衬底层上，并与所述硅光波导层耦合连接；其中，所述光栅层包括本征区以及位于所述本征区两侧的P型区和N型区；电极，包括阳极和阴极；其中，所述阳极设置于所述N型区，所述阴极设置于所述P型区。本发明通过表面光栅结构较直波导结构增加了表面区域，从而有效增加了吸收面积，进而提高了响应度；光栅结构形成谐振腔，使光能量较好的限制在光栅结构内部，被多次吸收。 |
