一种磁电阻薄膜结构和磁电阻传感器
基本信息
| 申请号 | CN202121291474.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215641767U | 公开（公告）日 | 2022-01-25 |
| 申请公布号 | CN215641767U | 申请公布日 | 2022-01-25 |
| 分类号 | G01R33/09（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 薛松生;沈卫锋;郭海平;宋晨 | 申请（专利权）人 | 江苏多维科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 孟金喆 |
| 地址 | 215634江苏省苏州市张家港市保税区广东路7号E栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型实施例公开了一种磁电阻薄膜结构和磁电阻传感器，该磁电阻薄膜结构包括：依次层叠设置的基底、种子层、参考层、间隔层、自由层和电极层；参考层在种子层上生长，且参考层的磁矩方向受到通入种子层内电流产生的自旋注入被钉扎；自由层的磁矩方向随外部磁场的变化而变化。本实用新型实施例中，参考层生长在种子层上，电流通入种子层后会使种子层产生自旋流且该自旋流可注入相邻参考层，使得参考层的磁矩方向受到通入种子层内电流产生的自旋注入影响而改变并钉扎。无需外部设备辅助即可精确控制参考层的钉扎方向，能够更加便捷的实现参考层的多角度钉扎，设计工艺简单且成本低廉，更具竞争力和市场前景。 |
