一种磁阻电路结构及角度传感器
基本信息
| 申请号 | CN202121254524.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215639260U | 公开（公告）日 | 2022-01-25 |
| 申请公布号 | CN215639260U | 申请公布日 | 2022-01-25 |
| 分类号 | G01B7/30（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 郭海平;宋晨;沈卫锋;薛松生 | 申请（专利权）人 | 江苏多维科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 孟金喆 |
| 地址 | 215634江苏省苏州市张家港市保税区广东路7号E栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型实施例公开了一种磁阻电路结构及角度传感器，该磁阻电路结构用于感应外部磁场的角度，磁阻电路结构包括：N个并联连接的磁电阻单元，磁电阻单元具有参考层、磁性隔离层以及自由层，参考层具有预设磁矩方向且该预设磁矩方向为磁电阻单元的参考方向，自由层的磁矩方向跟随外部磁场方向变化而变化；至少有三个磁电阻单元的参考层的参考方向彼此不同，至少有两个磁电阻单元的电阻值彼此不同；通过设置各个磁电阻单元的参考方向和电阻值，以抑制外部磁场的角度的响应信号的谐波分量。本实用新型实施例中，可以减小或抑制磁电阻单元对外部磁场角度的响应信号的谐波分量，提高磁阻电路结构感应外部磁场的精度。 |
