半导体器件及其铝膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010326225.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113549875A | 公开（公告）日 | 2021-10-26 |
| 申请公布号 | CN113549875A | 申请公布日 | 2021-10-26 |
| 分类号 | C23C14/16（2006.01）I;C23C14/22（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 归剑;王海红 | 申请（专利权）人 | 上海先进半导体制造有限公司 |
| 代理机构 | 上海弼兴律师事务所 | 代理人 | 薛琦;张冉 |
| 地址 | 200233上海市徐汇区虹漕路385号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了半导体器件及其铝膜的制备方法，制备方法包括：提供一晶圆；对所述晶圆进行预设时间段的预加热，以将所述晶圆的工艺温度达到预设温度；对预加热后的所述晶圆进行溅射工艺；以及，在所述晶圆上进行淀积，以形成所述铝膜。本发明有效地提升了厚铝工艺中控制工艺温度的稳定性，极大地减少了雾面残渣等缺陷，从而极大地提升了半导体器件产品的良率。 |
