IGBT及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201810967106.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110858609B | 公开（公告）日 | 2021-11-05 |
| 申请公布号 | CN110858609B | 申请公布日 | 2021-11-05 |
| 分类号 | H01L29/739（2006.01）I;H01L29/167（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王学良;刘建华;郎金荣;闵亚能 | 申请（专利权）人 | 上海先进半导体制造有限公司 |
| 代理机构 | 上海弼兴律师事务所 | 代理人 | 薛琦;秦晶晶 |
| 地址 | 200233 上海市徐汇区虹漕路385号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种IGBT及其制造方法，其中，所述IGBT中的目标区域掺杂有第一离子，其中，所述目标区域包括P型衬底、P型阱区、P型源区中的至少一种，所述第一离子的扩散系数大于硼离子的扩散系数。本发明中IGBT目标区域所掺杂的第一例子的扩散系数大于硼离子的扩散系数，不似现有技术中采用硼离子作为掺杂杂质，从而在相同条件下形成的杂质分布形貌更为渐变，也即形成的PN结为渐变结，进而提高了击穿电压、缩短了关断时间、提升了抗闩锁能力，进一步改良了IGBT的性能。此外，由于本发明的杂质扩散系数较大，从而能够在较低温度、较短时间内形成更宽、更深的PN结，具有一定的成本优势。 |
