高耐压大电流增益的衬底PNP晶体管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910486427.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112053952B | 公开（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申请公布号 | CN112053952B | 申请公布日 | 2022-02-11 |
| 分类号 | H01L21/331（2006.01）I;H01L29/08（2006.01）I;H01L29/73（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 方园;张洁 | 申请（专利权）人 | 上海先进半导体制造有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 卢炳琼 |
| 地址 | 200233 上海市徐汇区虹漕路385号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高耐压大电流增益的衬底PNP晶体管及其制造方法，包括：制备P型衬底；P型衬底上表面生长N型外延层；N型外延层上表面注入硼离子并推进形成集电极下隔离区；N型外延层上表面注入硼离子并推进形成集电极上隔离区，集电极上、下隔离区上下连接在一起；N型外延层上表面注入硼离子并推进20±10％分钟，形成发射极内圆区；N型外延层上表面注入硼离子并推进形成发射极区域。本发明通过发射极内圆区20±10％分钟的炉管热预算对发射极区域的注入及推进进行预先增强，提高了发射极区域的空穴载流子发射效率，同时未减小发射极区域至P型衬底间的有效N型外延尺寸，实现了该晶体管同时具备大电流增益与高耐压能力。 |
