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场限环结构的制备方法及系统

基本信息

申请号 CN202111050598.1 申请日 -
公开（公告）号 CN113903667A 公开（公告）日 2022-01-07
申请公布号 CN113903667A 申请公布日 2022-01-07
分类号 H01L21/336（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;G06F30/20（2020.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 车鑫川;张洁;刘东栋 申请（专利权）人 上海先进半导体制造有限公司
代理机构 上海弼兴律师事务所 代理人 杨东明;罗朗
地址 200233上海市徐汇区虹漕路385号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种场限环结构的制备方法及系统，所述制备方法包括：预设环推进信息表，环推进信息表存储有制备场限环结构的高温炉管的环推进信息与应用场景的映射表，环推进信息包括环推进温度和环推进时长，应用场景包括应用设备和应用环境；获取当前场限环结构的当前应用场景；根据环推进信息表获取与当前应用场景对应的当前环推进信息；在当前场限环结构的环推进阶段基于当前环推进信息进行制备。本发明通过改变场限环结构的炉管推进的时间及温度，进一步实现有效增加终端柱状结的曲率半径，减少电场集中，使得原本器件击穿电压降低的问题得到解决，最终达到在不增加器件功耗的基础上提高了器件的击穿电压性能。