超级结结构及其制作方法、超级结器件
基本信息
申请号 | CN202010235845.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113471068A | 公开(公告)日 | 2021-10-01 |
申请公布号 | CN113471068A | 申请公布日 | 2021-10-01 |
分类号 | H01L21/225;H01L29/06 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 迟延庆 | 申请(专利权)人 | 上海先进半导体制造有限公司 |
代理机构 | 上海弼兴律师事务所 | 代理人 | 薛琦;林嵩 |
地址 | 200233 上海市徐汇区虹漕路385号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种超级结结构及其制作方法、超级结器件,所述制作方法包括:选取与产品片尺寸一致的陪片;采用光刻刻蚀工艺在陪片上刻蚀出用于形成超级结结构的第一通孔;在产品片的表面生长出一层氧化层;在陪片上加电,将陪片和产品片(氧化层面)贴附在一起;通过陪片上的第一通孔向产品片中注入与产品片中掺杂离子类型相反的目标离子,以形成N型和P型相互间隔的超级结结构;其中,相邻的N型结构的离子浓度与P型结构的离子浓度相平衡。本发明的制作工艺具有工艺简单、成本低、工艺稳定、能够保证产品良率以及重复性好等优点。 |
