一种LED芯片及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110200475.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112951964B | 公开（公告）日 | 2022-07-15 |
| 申请公布号 | CN112951964B | 申请公布日 | 2022-07-15 |
| 分类号 | H01L33/36（2010.01）I;H01L33/40（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王锐;邬新根;周弘毅;刘英策;李健 | 申请（专利权）人 | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 361100福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路259-269号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：位于所述衬底上的P型金属电极和N型金属电极；所述P型金属电极包括第一电极层、第一金层、第一铝层以及第一合金层；所述N型金属电极包括第二电极层、第二金层、第二铝层以及第二合金层；其中，所述第一合金层和所述第二合金层均为金‑铝合金层。已知金属铝和金‑铝合金均具有很好的抗腐蚀能力，因此位于第一金层上的第一合金层和第一铝层以及位于第二金层上的第二合金层和第二铝层能够避免第一金层和第二金层在盐雾环境中发生电化学腐蚀，进而避免由于所述第一金层和所述第二金层发生电化学腐蚀而破坏所述第一金层和所述第二金层上的布线，导致LED芯片失效。 |
