一种复合导电薄膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110075647.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112885718B | 公开（公告）日 | 2022-07-05 |
| 申请公布号 | CN112885718B | 申请公布日 | 2022-07-05 |
| 分类号 | H01L21/285（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘伟;邬新根;林锋杰;刘英策;张阿茵 | 申请（专利权）人 | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 361100福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路259-269号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种复合导电薄膜的制备方法，该方法采用反应等离子沉积工艺制备第一欧姆接触层、第一功能层、电流传导层、第二功能层和第二欧姆接触层，避免了传统的真空蒸发和磁控溅射等工艺制备的薄膜的累积应力较大的问题，也避免了对基板造成损伤的情况，同时在制备第一功能层时，通入的第一预设气体流量随时间递增，以减小膜层生长应力，实现制备低应力薄膜的目的，同样的在制备第二功能层时，通入的第二预设气体流量随时间增加而降低，以降低膜层生长应力，实现制备低应力薄膜的目的，结合特定的第一欧姆接触层、第一功能层、电流传导层、第二功能层和第二欧姆接触层堆叠结构，实现制备低阻值、高穿透率和高稳定性的透明导电薄膜的目的。 |
