一种发光外延结构及发光二极管芯片
基本信息
| 申请号 | CN202111679335.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114744086A | 公开（公告）日 | 2022-07-12 |
| 申请公布号 | CN114744086A | 申请公布日 | 2022-07-12 |
| 分类号 | H01L33/06（2010.01）I;H01L33/08（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 林志伟;崔恒平;蔡玉梅;蔡海防;陈凯轩 | 申请（专利权）人 | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 361100福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路259-269号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种发光外延结构及发光二极管芯片，其中发光二极管芯片包括有通过隧穿结过渡的第一有源层和第二有源层；或者，发光二极管芯片包括有通过绝缘层相叠加的第一有源层和第二有源层，使得发光二极管芯片包括有更多的发光区域，能够有效提高发光二极管芯片的出光亮度。同时，通过设计包括更多发光区域的发光二极管芯片，能够使得发光二极管芯片具有混色调光的性能，扩大发光二极管芯片的适用范围。 |
