一种LED芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210527150.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114744087A | 公开（公告）日 | 2022-07-12 |
| 申请公布号 | CN114744087A | 申请公布日 | 2022-07-12 |
| 分类号 | H01L33/14（2010.01）I;H01L33/36（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I;H01L33/02（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 林志伟;罗桂兰;尤翠萍;李艳;陈凯轩 | 申请（专利权）人 | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 361101福建省厦门市厦门火炬高新区（翔安）产业区翔天路259-269号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过设置在外延叠层的台面依次形成第一电流阻挡层和电流扩展层，且P型电极包括互连的P型连接部和P型扩展部；其中，所述P型连接部层叠于所述第一电流阻挡层的表面，并通过通孔嵌入所述第一电流阻挡层的方式与所述P型半导体层形成连接；所述P型扩展部从所述P型连接部的外围通过层叠于所述电流扩展层表面的方式延伸至所述台面的边缘。基于此，解决了大驱动电流所导致的电流拥挤现象，并有效提高LED的外量子效率。同时，所述P型连接部层叠于所述第一电流阻挡层的表面，并通过通孔嵌入所述第一电流阻挡层的方式与所述P型半导体层形成连接，可有效解决电极的脱落问题，提高LED芯片的可靠性。 |
