一种深紫外LED及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110172071.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112951961B | 公开（公告）日 | 2022-07-12 |
| 申请公布号 | CN112951961B | 申请公布日 | 2022-07-12 |
| 分类号 | H01L33/14（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 霍丽艳;滕龙;吴洪浩;周瑜;刘兆 | 申请（专利权）人 | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 361000 福建省厦门市火炬（翔安）产业区翔天路259-269号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种深紫外LED及其制作方法，所述深紫外LED包括：衬底；依次设置在所述衬底一侧的N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和P型半导体层；其中，所述电子阻挡层为稀磁材料的电子阻挡层。该稀磁材料的电子阻挡层能够在阻挡电子的同时，对空穴的注入也起到正向的作用，提高电子和空穴的空间波函数交叠，进而提高深紫外LED的发光效率。 |
