一种多晶PECVD镀膜均匀性优化的方法
基本信息
| 申请号 | CN202011450538.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112760614A | 公开（公告）日 | 2021-05-07 |
| 申请公布号 | CN112760614A | 申请公布日 | 2021-05-07 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;C23C16/505(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 王菲;聂文君;张伟;王路路;贾慧君;李文敏 | 申请（专利权）人 | 晋能清洁能源科技股份公司 |
| 代理机构 | 北京慕达星云知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 孙光远 |
| 地址 | 033000山西省吕梁市文水县经济开发区1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶PECVD镀膜均匀性优化的方法，属于太阳能电池技术领域。包括以下步骤：预沉积：采用PECVD镀膜设备，在一定的压力和功率下，通入NH3气体，经沉积得镀膜A；沉积第一层SiNx层：在一定的压力和功率下，分别向镀膜A通入SiH4和NH3气体，经沉积得镀膜B；沉积第二层SiNx层：在一定的压力和功率下，分别向镀膜B通入SiH4和NH3气体，经沉积得多晶PECVD镀膜。本发明在常规PECVD设备的基础上，沉积SiNx减反射膜，通过控制两层膜的厚度与折射率，提高对光吸收，利用SiNx物理稳定性，减少光学损失，提高电池效率，优化电池片成品颜色，且本发明不增加生产成本，易于实现。 |
