基于氮化物的半导体装置和其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202180004254.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114207818A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114207818A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L27/07（2006.01）I;H01L21/8248（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何清源;郝荣晖;陈扶;章晋汉;黄敬源 | 申请（专利权）人 | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳宜保知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王琴;曹玉存 |
| 地址 | 215211江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种基于氮化物的半导体装置包含第一基于氮化物的半导体层、第二基于氮化物的半导体层、第一基于氮化物的晶体管和第二基于氮化物的晶体管。所述第一基于氮化物的晶体管应用2DEG区域作为其沟道并且包括第一漏电极，所述第一漏电极与所述第二基于氮化物的半导体层接触以与所述第二基于氮化物的半导体层形成第一肖特基二极管。所述第二基于氮化物的晶体管应用所述2DEG区域作为其沟道并且包含第二漏电极，所述第二漏电极与所述第二基于氮化物的半导体层接触以与所述第二基于氮化物的半导体层形成第二肖特基二极管，使得所述第一肖特基二极管和所述第二肖特基二极管连接到同一节点。 |
