氮化物基半导体装置及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202180004637.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114175268A | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 申请公布号 | CN114175268A | 申请公布日 | 2022-03-11 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何川;蒲小庆;郝荣晖;章晋汉;黃敬源 | 申请（专利权）人 | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳宜保知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王琴;曹玉存 |
| 地址 | 215211江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层和第二氮化物基半导体层、掺杂III‑V半导体层、栅极、源极电极和漏极电极。所述掺杂III‑V半导体层安置于所述第二氮化物基半导体层之上，且具有相对的第一侧壁，所述第一侧壁朝向所述掺杂III‑V半导体层的在侧壁之间的主体向内凹陷，以形成位于所述掺杂III‑V半导体层的底部处的弯曲轮廓。所述栅极电极安置于所述掺杂III‑V半导体层上方。所述源极电极和所述漏极电极安置于所述第二氮化物基半导体层上方。所述栅极电极位于所述源极电极与所述漏极电极之间。 |
