半导体器件和其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202180004467.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114175273A | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 申请公布号 | CN114175273A | 申请公布日 | 2022-03-11 |
| 分类号 | H01L29/778（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何川;郝荣晖;黃敬源 | 申请（专利权）人 | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳宜保知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王琴;曹玉存 |
| 地址 | 215211江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种氮化物基半导体电路包括氮化物基半导体载体、第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、连接器、连接线和电源线。第一氮化物基半导体层配置在氮化物基半导体载体上方。第二氮化物基半导体层配置在第一氮化物基半导体层上。连接器配置在第二氮化物基半导体层上。连接线电连接到连接器中的一个。电源线电到氮化物基半导体载体。异质结形成于第一氮化物基半导体层与第二氮化物基半导体层之间。电势差施加在电源线与连接线之间。 |
