氮基半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202180003499.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114207837A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114207837A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L29/417（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何清源;郝荣晖;陈扶;章晋汉;黄敬源 | 申请（专利权）人 | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳宜保知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王琴;曹玉存 |
| 地址 | 215211江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种氮基半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、源极电极、栅极电极和漏极结构。漏极结构包括第一掺杂的氮基半导体层、欧姆接触电极和导电层。第一掺杂的氮基半导体层与第二氮基半导体层接触以形成第一接触界面。欧姆接触电极与第二氮基半导体层接触以形成第二接触界面。导电层包括金属并与第二氮基半导体层接触以在其间形成金属‑半导体接面。导电层连接第一掺杂的氮基半导体层和欧姆接触电极，并且欧姆接触界面比第一接触界面和第二接触界面离栅极电极更远。 |
