氮化物基半导体装置及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202180003944.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114207840A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114207840A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L29/778（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何川;蒲小庆;郝荣晖;黄敬源 | 申请（专利权）人 | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳宜保知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王琴;曹玉存 |
| 地址 | 215211江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、源电极、漏电极、栅电极和第三氮化物基半导体层。所述第一氮化物基半导体层具有至少一个沟槽。所述第二氮化物基半导体层安置在所述第一氮化物基半导体层上且与所述沟槽间隔开。所述源电极和所述漏电极安置在所述第二氮化物基半导体层上方。所述栅电极安置在所述第二氮化物基半导体层上方及所述源电极和漏电极之间，以便至少限定在所述栅电极和所述漏电极之间且与所述沟槽重叠的漂移区。所述第三氮化物基半导体层至少安置在所述沟槽中，并且从所述沟槽向上延伸以与所述第二氮化物基半导体层接触。 |
