氮化物基半导体装置以及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202180004419.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114207833A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114207833A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/20（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周以伦;高双;李传纲 | 申请（专利权）人 | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳宜保知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王琴;曹玉存 |
| 地址 | 215211江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、单个III‑V族半导体层、第三氮化物基半导体层、第一源极电极和第二电极，以及栅极电极。所述第二氮化物基半导体层安置在所述第一氮化物基半导体层上方。所述单个III‑V族半导体层安置在所述第一和第二氮化物基半导体层之间且掺杂到所述第一导电类型。所述单个III‑V族半导体层具有高电阻率区以及由所述高电阻率区包围的电流孔，其中所述高电阻率区包括比所述电流孔更多的金属氧化物，以便实现比所述电流孔的电阻率高的电阻率。所述第三氮化物基半导体层安置在所述第二氮化物基半导体层上方。所述第一源极电极、所述第二电极和所述栅极电极安置在所述第三氮化物基半导体层上方。 |
