氮化物基半导体装置以及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202180004172.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114175269A | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 申请公布号 | CN114175269A | 申请公布日 | 2022-03-11 |
| 分类号 | H01L29/40（2006.01）I;H01L29/20（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L27/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张昕;盛健健;吕俊源;李臻哲 | 申请（专利权）人 | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳宜保知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王琴;曹玉存 |
| 地址 | 215211江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、源极电极和漏极电极、栅极结构、第一场板和第二场板。所述第二氮化物基半导体层安置在所述第一氮化物基半导体层上。所述源极电极和所述漏极电极安置在所述第二氮化物基半导体层上方。所述栅极结构安置在所述第二氮化物基半导体层上方。所述第一场板安置在所述栅极结构上方并且与所述源极电极和所述漏极电极电耦合。所述第二场板安置在所述栅极结构上方并且与所述栅极结构电耦合。所述第一场板和所述第二场板彼此平行。所述第一场板的顶表面面向所述第二场板的底表面以彼此重叠。 |
