半导体装置及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202180004519.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114207835A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114207835A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L29/40（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赵起越;石瑜 | 申请（专利权）人 | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳宜保知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王琴;曹玉存 |
| 地址 | 215211江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体装置包含第一和第二氮化物基半导体层、第一和第二电极、第一栅极电极、第一和第二场板。所述第一场板安置在所述第二氮化物基半导体层上方，且从所述第一电极和所述第一栅极电极之间的区延伸到所述第一栅极电极的正上方的区。所述第二场板安置在所述第二氮化物基半导体层上方，且从所述第一电极和所述第一场板之间的区延伸到所述第一场板的正上方的区。所述第二场板与所述第一栅极电极水平地间隔开。 |
