氮化物半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202180004439.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114175236A | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 申请公布号 | CN114175236A | 申请公布日 | 2022-03-11 |
| 分类号 | H01L23/488（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曹凯;张雷;朱益峰;黄敬源;周春华 | 申请（专利权）人 | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳宜保知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王琴;曹玉存 |
| 地址 | 215211江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种氮化物半导体器件包含半导体载体、第一氮化物基芯片和第一共形连接结构。第一氮化物基芯片配置于半导体载体之上。半导体载体具有第一平面。第一氮化物基芯片具有第二平面、第一导电垫和第一斜面。第一导电垫配置于第二平面中。第一斜面将第二平面连接到第一平面。第一共形连接结构配置于第一平面和第一氮化物基芯片上。在第二平面与第一斜面之间形成第一钝角。每个第一共形连接结构中覆盖第一氮化物基芯片的这些第一斜面中的一个和这些第一钝角中的一个，且电连接到第一导电垫。 |
