半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202180004429.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114175267A | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 申请公布号 | CN114175267A | 申请公布日 | 2022-03-11 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王攀;谢文元;陈泓宇 | 申请（专利权）人 | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳宜保知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王琴;曹玉存 |
| 地址 | 215211江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体器件，包括衬底、第一和第二氮基半导体层、掺杂的氮基半导体层、栅极电极、第一和第二介电保护层。第二氮基半导体层的带隙大于第一氮基半导体层的带隙。第一和第二介电保护层包括氧。第一介电保护层与由栅极电极、掺杂的氮基半导体层和第二氮基半导体层共同构成的轮廓保持一致。第二介电保护层与第一介电保护层接触。第一介电保护层的氧浓度小于第二介电保护层的氧浓度。 |
