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具有抗辐照结构的IGBT器件及其制备方法

基本信息

申请号 CN201710997718.6 申请日 -
公开（公告）号 CN107845672A 公开（公告）日 2018-03-27
申请公布号 CN107845672A 申请公布日 2018-03-27
分类号 H01L29/08;H01L21/331;H01L29/739 分类 基本电气元件;
发明人 徐承福;朱阳军 申请（专利权）人 江苏芯长征微电子集团股份有限公司
代理机构 苏州国诚专利代理有限公司 代理人 韩凤
地址 550081 贵州省贵阳市观山湖区林城西路摩根中心A座10层A-10-003号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种具有抗辐照结构的IGBT器件及其制备方法，其包括第一导电类型基区以及设置于所述第一导电类型基区正面的正面元胞结构；在第一导电类型基区的背面设置第二导电类型集电区，在所述第二导电类型集电区的外圈设置埋氧层，埋氧层埋设在第一导电类型基区内，埋氧层在第一导电类型基区内的深度大于第二导电类型集电区在第一导电类型基区内的深度，第二导电类型集电区与埋氧层接触；所述第二导电类型集电区通过集电极连接引出体与位于第一导电类型基区正面上方的集电极金属电连接，集电极连接引出体通过内绝缘隔离体与第一导电类型基区的侧面绝缘隔离。本发明结构紧凑，能有效提高IGBT器件的抗辐照能力，安全可靠。