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集成肖特基结的超结MOSFET结构及其制备方法

基本信息

申请号 CN201710997850.7 申请日 -
公开（公告）号 CN107768371A 公开（公告）日 2018-03-06
申请公布号 CN107768371A 申请公布日 2018-03-06
分类号 H01L27/07;H01L29/06;H01L29/47;H01L21/8249 分类 基本电气元件;
发明人 徐承福;朱阳军 申请（专利权）人 江苏芯长征微电子集团股份有限公司
代理机构 苏州国诚专利代理有限公司 代理人 韩凤
地址 550081 贵州省贵阳市观山湖区林城西路摩根中心A座10层A-10-003号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种集成肖特基结的超结MOSFET结构及其制备方法，其利用第二导电类型第一柱、第二导电类型第二柱与第一导电类型漂移层能形成所需的超结结构，源极金属通过第一欧姆接触孔与第二导电类型第一体区以及位于所述第二导电类型第一体区内的第一导电类型体区欧姆接触，源极金属通过第二欧姆接触孔与第二导电类型第二体区以及位于所述第二导电类型第二体区内的第一导电类型体区欧姆接触，源极金属通过肖特基接触孔与第一导电类型漂移层形成肖特基结，从而实现在超结MOSFET结构内实现肖特基结的集成，在降低导通的同时，能进一步提高超结MOSFET器件的开关速度以及反向恢复速度。