首页/ 江苏芯长征微电子集团股份有限公司/ 专利详情

能节省终端面积的屏蔽栅MOSFET器件及其制备方法

基本信息

申请号 CN201710997732.6 申请日 -
公开（公告）号 CN107799602A 公开（公告）日 2018-03-13
申请公布号 CN107799602A 申请公布日 2018-03-13
分类号 H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 分类 基本电气元件;
发明人 徐承福;朱阳军 申请（专利权）人 江苏芯长征微电子集团股份有限公司
代理机构 苏州国诚专利代理有限公司 代理人 韩凤
地址 550081贵州省贵阳市观山湖区林城西路摩根中心A座10层A-10-003号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种能节省终端面积的屏蔽栅MOSFET器件及其制备方法，其元胞区采用沟槽结构并设置屏蔽栅结构，终端保护区内设置终端沟槽，终端沟槽的宽度大于元胞沟槽的宽度，在所述终端沟槽的侧壁以及底壁设置终端沟槽绝缘氧化层，并在设置终端沟槽绝缘氧化层的终端沟槽内填充终端沟槽导电多晶硅；邻近元胞区的终端沟槽与邻近终端保护区的元胞沟槽侧壁外上方的第二导电类型基区接触，在第一导电类型漂移层上方设置源极金属，所述源极金属与第二导电类型基区、第二导电类型基区内的第一导电类型源区以及终端沟槽导电多晶硅欧姆接触，与现有工艺兼容，能有效提高耐压能力，且可节省终端的面积，安全可靠。