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高压超结结构的制备方法

基本信息

申请号 CN201810082225.4 申请日 -
公开（公告）号 CN108288587A 公开（公告）日 2018-07-17
申请公布号 CN108288587A 申请公布日 2018-07-17
分类号 H01L21/336;H01L29/06 分类 基本电气元件;
发明人 吴凯;朱阳军;胡少伟 申请（专利权）人 江苏芯长征微电子集团股份有限公司
代理机构 苏州国诚专利代理有限公司 代理人 贵州芯长征科技有限公司;南京芯长征科技有限公司
地址 550081 贵州省贵阳市观山湖区林城西路摩根中心A座10层A-10-003号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种高压超结结构的制备方法，其包括如下步骤：步骤1、对半导体衬底进行沟槽刻蚀，以得到宽槽；步骤2、在上述宽槽的上方进行第二导电类型外延层的淀积，以得到第二导电类型外延层；步骤3、在上述宽槽上方进行第一导电类型外延层的淀积，以得到第一导电类型外延层；步骤4、重复上述第二导电类型外延层与第一导电类型外延层的淀积工艺步骤，直至将宽槽填满；步骤5、对上述半导体衬底的正面、背面进行减薄，以得到第二导电类型柱与第一导电类型柱交替排列的超结结构。本发明工艺步骤简单，与现有工艺兼容，采用具有较小深宽比的常规刻蚀工艺，形成长宽比更大的硅柱，不需要增加额外的光刻和注入，从而降低了成本。