一种沟槽式场效应晶体管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201611051510.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106601795B | 公开（公告）日 | 2019-05-28 |
| 申请公布号 | CN106601795B | 申请公布日 | 2019-05-28 |
| 分类号 | H01L29/423（2006.01）I; H01L29/78（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李风浪; 李舒歆 | 申请（专利权）人 | 江苏芯长征微电子集团股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 550000 贵州省贵阳市观山湖区林城西路摩根中心A栋第11层2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种沟槽式场效应晶体管及其制造方法。本发明制造出的沟槽式场效应晶体管包括衬底、n‑外延层、p型体区、n+有源区、沟槽以及沟槽内的多晶硅栅极和栅氧化层，所述沟槽内还包含绝缘介质层，所述绝缘介质层将多晶硅栅极靠近沟槽底部一侧分割成分别靠近两侧p型体区的两部分，并且所述多晶硅栅极靠近沟槽底部一侧对应的沟槽底部与n‑外延层之间形成p型掺杂区。本发明有效减小栅‑漏寄生电容，提高开关速度。 |
