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一种低成本沟槽型功率半导体器件的制备工艺

基本信息

申请号 CN201910334722.3 申请日 -
公开（公告）号 CN110047758A 公开（公告）日 2019-07-23
申请公布号 CN110047758A 申请公布日 2019-07-23
分类号 H01L21/336;H01L21/331 分类 基本电气元件;
发明人 杨飞;白玉明;吴凯;杜丽娜;朱阳军 申请（专利权）人 江苏芯长征微电子集团股份有限公司
代理机构 苏州国诚专利代理有限公司 代理人 贵州芯长征科技有限公司;南京芯长征科技有限公司
地址 550081 贵州省贵阳市观山湖区林城西路摩根中心A栋第11层2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种低成本沟槽型功率半导体器件的制备工艺，其终端区的第二导电类型体区与衬底终端沟槽配合形成所需的终端区结构，而得到第二导电类型体区时不需要掩模版，与现有工艺相比，使得沟槽型功率半导体器件在正面结构制备时能少用一块掩模版，有效降低了功率半导体器件的制备成本。通过有源区内存在衬底第二导电类型基区，能实现对有源区内第二导电类型的掺杂浓度进行调节，保证了所制备得到功率半导体器件终端区的击穿特性以及有源区的导通特性，整个工艺过程与现有工艺兼容，安全可靠。