碳化硅晶圆片抛光用抛光粉及其制备方法、抛光液
基本信息
申请号 | CN201911356679.7 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN111073520B | 公开(公告)日 | 2021-09-03 |
申请公布号 | CN111073520B | 申请公布日 | 2021-09-03 |
分类号 | C09G1/02 | 分类 | 染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用; |
发明人 | 刘冉;朱堂龙;陈红飞;王宇湖 | 申请(专利权)人 | 苏州纳迪微电子有限公司 |
代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 范晴;顾天乐 |
地址 | 215000 江苏省苏州市相城区阳澄湖镇凤阳路432号8号楼东侧一、二层 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种碳化硅晶圆片抛光用抛光粉及其制备方法、抛光液,属于材料抛光技术领域。该碳化硅晶圆片抛光用抛光粉制备方法,包括以下步骤:S1,分别配置A液体,微米α‑氧化铝分散液,和B液体,含偏铝酸钠的氢氧化钾水溶液;S2,在一定反应温度下,向A液体中加入B液体和盐酸,添加完B液体和盐酸后继续搅拌一段时间,得到氢氧化铝包覆微米α‑氧化铝的浆料,之后陈化处理;S3,边搅拌边向经陈化处理的浆料加入纳米α‑氧化铝粉体,添加完纳米α‑氧化铝粉体后继续搅拌一段时间,得到纳米α‑氧化铝包覆氢氧化铝包覆微米α‑氧化铝的浆料;S4,分离上述浆料并烘干,然后在高温煅烧,再经后处理得到抛光粉。本发明能够提高碳化硅晶圆片抛光效率和表面良率。 |
